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电子元器件详细资料 » IC[11428] » BSO615CT
型号:BSO615CT类别:FET - 阵列制造商:Infineon Technologies
封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)描述:MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
系列SIPMOS®
制造商Infineon Technologies
FET型N 和 P 沟道
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V
电流_连续漏极(Id)0a025000C3.1A,2A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C110 毫欧 @ 3.1A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222V @ 20µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs22.5nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds380pF @ 25V
功率_最大2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装PG-DSO-8
包装Digi-Reel®

供应商

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